梁骏吾（1933.9.18 - ），研究员，中国工程院院士。湖北武汉人。1955年毕业于武...

人物志

梁骏吾（

1933.9.18

），研究员，中国工程院院士。湖北武汉人。

1955

年毕业于武汉大学化学系。

1956

1960

年曾在苏联科学院冶金研究所从事半导体材料研究，获博士学位。

1960

年起为中国科学院半导体研究所研究员，华中工学院兼职教授。专长于半导体材料。

20

世纪

60

年代解决了高纯区熔硅的关键技术

1964

年制备出室温激光器用

GaAs

液相外延材料

1979

年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶

20

世纪

80

年代首创了掺氮中子擅变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题

20

世纪

90

年代初研究

MOCVD

生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将我国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持“七五”“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。曾获

1964

年国家科委重大科技成果奖，中国科学院科技进步奖

1

等奖

1

次、中国科学院重大成果

1

等奖两次，以及部级奖励多次。

1997

年当选为中国工程院院士。